EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-FCAMPD Amplified RF InGaAs Photodetector
- Breet Bandbreet
- Incorporated Bias-T
- O/E Hybrid Integréiert
- Héich Gewënn, Niddereg Kaméidi, Breetband
- SMA Connector
- Low Dark Current, High Signal-to-Noise Verhältnis
- Kleng Form Faktor.
Produkt beschreiwung
LK-FCAMPD ass eng Fusioun vun opteschen an elektroneschen Technologien, integréiert eng Breetband InGaAs Photodiode mat engem niddereg-Geräisch Verstärker. Dësen Apparat ass empfindlech op Wellelängten tëscht 1000 an 1650nm, dank senger InGaAs PIN Photodiode, an de Low-Noise Verstärker bitt en RF Gewënn rangéiert vun 20 bis 30dB.
LK-FCAMPD bitt konfiguréierbar Bandbreedoptiounen, dorënner 1 Gigahertz, 2.5 Gigahertz, a personaliséierbar Bandbreedung bis zu engem Maximum vu 5 Gigahertz. Den Apparat funktionnéiert op enger +5-Volt Energieversuergung an huet e Standard FC (Gesiicht-kontaktéiert) Glasfaser-Stecker fir optesch Input. Den RF-Ausgang gëtt duerch e SMA-kompatibele Stecker erliichtert, deen op 50 Ohm impedanz ugepasst ass.
LK-FCAMPD ass liicht, mat enger Mass vu manner wéi 25 Gramm, sou datt et gëeegent ass fir verschidde portabel a kompakt Uwendungen. Et ass zertifizéiert fir d'Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Direktiv 2.0 ze respektéieren, wat säin Engagement fir Ëmwelt- a Sécherheetsnormen ugeet.
technesch Spezifikatiounen
| Typesch & Absolut maximal Bewäertung | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parameter | Sym. | Typ | Bewäertung | Eenheet |
| Stockage Temperatur Rei | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Operatioun Fall Temperatur Beräich | TC | 25 | -40 ~ +70 | ℃ |
| Bias Volt | VR | +5 | +4.75 ~ +5.25 | V |
| Optesch Input Power | Pin | 0 | +5 | dBm |
| Burn-out Optical Power | PB | - | 13 + | dBm |
| Lead soldering Temperatur | Tp | 280 (10s) | 330 (10s) | ℃ |
| Elektresch / Optesch Charakteristiken (TC = 22 ± 3 ℃) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Parameter | sym | Test Zoustand | Parameter Wäerter | Eenheet | |||
| Wellelängteberäich | λ | - Déi | 1000-1650 | nm | |||
| Frequenz Range | - Déi | - Déi | L - Band | S - Band | CM | - Déi | |
| Kleng Signal Bandwidth | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0.03 ~ 1 | 0.03 ~ 2.5 | 0.1 ~ 5 | GHz | |
| Reaktiounsfäegkeet | Re | VR =+5V, Pin = 1 mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.90 | ≥ 0.90 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.90 | ≥ 0.90 | ≥ 0.90 | ||||
| RF Signal Gewënn | G | - Déi | 30 ± 2 | 20 ± 2 | 20 ± 2 | dB | |
| Amplitude Flatness | A | TC = -40 ~ +70 ℃ | ≤ ± 1.5 | ≤ ± 1.5 | ≤ ± 2 | dB | |
| Ausgang VSWR | VSWR | - Déi | ≤ 2 | ≤ 2 | ≤ ± 2.2 | - Déi | |
| Saturatioun Optical Power | Ps | VR = +5 V, λ = 1550 nm AC Moduléiert |
+5 | dBm | |||
| Saturation RF Output Power | Paus | - Déi | 15 | dBm | |||
| Däischter Stroum | ID | - Déi | ≤10 | nA | |||
| Ausgangsimpedanz | RL | - Déi | 50 | Ω | |||
● Typesch Äntwert Curves
(Abb. 1 L-Band FCAMPD InGaAs Photodetektor Frequenz Äntwert）
(Abb. 2 S-Band FCAMPD InGaAs Photodetektor Frequenz Äntwert）
(Abb. 3 C-Band FCAMPD InGaAs Photodetektor Frequenz Äntwert）
● Dimensioun a Pins ( Eenheet: mm [Zoll] )
Optesch Connector: FC (Gesiicht-kontaktéiert) Glasfaser Connector
RF Connector: SMA
● Bestellung Informatiounen
Blat 1:
| Code | Analog Bandbreedung |
| L | 0.03 ~ 1 GHz |
| S | 0.03 ~ 2.5 GHz |
| CM | Personnalisatioun (≦ 5GHz) |
● Precautiounen
Gitt sécher datt d'Faserkupplungsfacett propper ass ier Dir et mam Opto-Circuit verbënnt.
RF Interface an optesch Interface solle mat Staubkappe bedeckt ginn wann net am Gebrauch.
De passenden ESD Schutz ass erfuerderlech beim Lageren, Transport a Gebrauch.
All eis Standard Photodetektore kënnen a Moduler personaliséiert ginn!
Applicatioun
Radar Informatiounsveraarbechtung
Elektronesch Krichsféierung
Antenne Miessung
Fiber Optic Kommunikatiounen
Sécherheet a Surveillance
