EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-AMPD-D High Speed Amplified Mikrowell InGaAs Photodetektor
- Héich Geschwindegkeet, Breet Bandbreedung
- Incorporated Bias-T
- O/E Hybrid Integréiert
- Héich Gewënn, Niddereg Kaméidi, Breetband
- Hermetesch versiegelt, SMA Connector
- Niddereg Däischter Stroum, héich Signal-to-Geräusch Verhältnis.
- Kleng Form Faktor.
Produkt beschreiwung
LK-AMPD-D ass eng Fusioun vun opteschen an elektronesche Komponenten, mat enger breeder Spektrum InGaAs Photodiode an engem minimale Geräischer Verstärker. D'InGaAs PIN Photodiode huet eng Sensibilitéitsberäich vun 1000 bis 1650nm. De Low-Noise Verstärker bitt en RF Gewënn vun 30dB.
LK-AMPD-D ass fäeg Bandbreedungen vun entweder 12GHz oder 20GHz ze liwweren. Dësen Apparat funktionnéiert mat enger +9V Energieversuergung. Et ass entwéckelt fir mat der Standard Single-Modus 9/125μm Faser als Input ze schaffen. Den RF-Output huet e SMA-Typ Connector deen op 50 Ohm impedanz ugepasst ass.
LK-AMPD-D ass zougemaach op eng Manéier déi d'Entrée vu Feuchtigkeit an aner Verschmotzunge verhënnert, an et huet e Gewiicht vu manner wéi 23 Gramm. Et ass zertifizéiert fir den Ufuerderunge vun der Restriktioun vu Geféierleche Substanzen (RoHS) Direktiv 2.0 z'erhalen.
technesch Spezifikatiounen
| Typesch & Absolut maximal Bewäertung | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parameter | Sym. | Typ | Bewäertung | Eenheet |
| Stockage Temperatur Rei | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Operatioun Fall Temperatur Beräich | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| Bias Volt | VR | +9 | +9 ~ +12 | V |
| Optesch Input Power | Pin | 0 | 10 + | dBm |
| Burn-out Optical Power | PB | - | 13 + | dBm |
| Lead soldering Temperatur | Tp | 280 (10s) | 330 (10s) | ℃ |
| Elektresch / Optesch Charakteristiken (TC = 22 ± 3 ℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parameter | sym | Test Zoustand | Parameter Wäerter | Eenheet | ||
| Wellelängteberäich | λ | - Déi | 1000-1650 | nm | ||
| Frequenz Range | - Déi | - Déi | X - Band | Ku - Band | - Déi | |
| Kleng Signal Bandwidth | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0 bis 3 | 2 ~ 20 | GHz | |
| Reaktiounsfäegkeet | Re | VR =+9V, Pin = 10 mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Amplitude Flatness | A | TC = -45 ~ +85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Saturatioun Optical Power | Ps | VR = +9 V, λ = 1550 nm AC Moduléiert | 10 + | dBm | ||
| RF Signal Gewënn | G | - Déi | 30 ± 1 | dB | ||
| Saturation RF Output Power | Paus | - Déi | 10 + | dBm | ||
| Ausgang VSWR | VSWR | - Déi | ≤ 2 | - Déi | ||
| Ausgangsimpedanz | RL | - Déi | 50 | Ω | ||
●Typesch Äntwert Curves
(Abb. 1 X-Band Photodetektor Frequenz Äntwert)
(Abb. 2 Ku - Band Photodetektor Frequenz Äntwert)
●Dimensioun a Pins (Eenheet: mm [Zoll] )
RF Connector: SMA
●Bestellt Informatioun
Blat 1:
| Code | RF Signal Gewënn | Remarque |
| D | 30 DB | Typesch & Center Frequenz |
Blat 2:
| Code | Analog Bandbreedung |
| X | 0 ~ 3 GHz |
| Ku | 2 ~ 20 GHz |
Blat 3:
| Code | bewegen Type | Remarque |
| N | Kee Connector | Single-Modus 9 / 125 μm Faser Pigtail |
| A | FC / APC | |
| P | FC / PC |
●Precautiounen
Fiber Béie Radius net manner wéi 20 mm fir Faser beschiedegt ze vermeiden.
Gitt sécher datt d'Faserkupplungsfacett propper ass ier Dir et mam Opto-Circuit verbënnt.
De passenden ESD Schutz ass erfuerderlech beim Lageren, Transport a Gebrauch.
All eis Standard Photodetektore kënnen a Moduler personaliséiert ginn!
Applicatioun
Radar Informatiounsveraarbechtung
Elektronesch Krichsféierung
Antenne Miessung
Fiber Optic Kommunikatiounen
Sécherheet a Surveillance
